Notice bibliographique
- Notice
Type(s) de contenu et mode(s) de consultation : Texte noté : électronique
Auteur(s) : Li, Flora M.
Titre(s) : CCD image sensors in deep-ultraviolet [Texte électronique] : degradation behavior and damage mechanisms / F.M. Li, A. Nathan
Publication : Berlin ; New York : Springer, 2005
Description matérielle : 1 online resource (xi, 231 pages)
Collection : Microtechnology and MEMS
Note(s) : Includes bibliographical references and index
"This book describes the degradation mechanisms and long-term performance of CCDs
in the deep ultraviolent (DUV), along with new results of device performance at these
wavelengths."--Jacket
Autre(s) auteur(s) : Nathan, Arokia (1957-....). Fonction indéterminée
Sujet(s) : Télédétection
Durée de vie (ingénierie)
Circuits à couplage de charge
Science des matériaux
Identifiants, prix et caractéristiques : ISBN 9783540274124
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb44684652k
Notice n° :
FRBNF44684652
(notice reprise d'un réservoir extérieur)
Table des matières : Cover ; Title Page ; Preface ; Contents ; 1 Introduction ; 1.1 Motivation: CCD
for DUV Imaging ; 1.2 Outline of the Book. ; Part I CCD Image Sensors ; 2 Overview
of CCD. ; 2.1 Fundamentals of Solid-State Imaging ; 2.2 CCD Response and Quantum
Efficiency ; 2.3 Dark Current ; 2.4 Charge Conversion Efficiency (CCE) ; 3 CCD
Imaging in the Ultraviolet (UV) Regime. ; 3.1 Ultraviolet (UV) Spectrum ; 3.2 Applications
of CCD in DUV ; 3.3 Techniques to Improve UV Sensitivity ; 3.4 Challenges of DUV
Detection Using CCDs ; Part II Instabilities in Si, SiO2, and the Si-SiO2 Interface
; 4 Silicon ; 4.1 Optical Properties of Si ; 4.2 Defects in Si ; 4.3 Si Wafers
for CCDs ; 5 Silicon Dioxide ; 5.1 Basic Properties of SiO2 ; 5.2 Defects in SiO2
; 5.3 Instability in Si-Based Devices due to Defects in SiO2 ; 6 Si-SiO2 Interface
; 6.1 Physical Structure of the Si-SiO2 Interface ; 6.2 Defects at the Interface
; Part III Effects of Radiation on the Si-SiO2 System ; 7 Gener
