Type(s) de contenu et mode(s) de consultation : Texte noté : sans médiation

Auteur(s) : Lienhart, Marc-Yves  Voir les notices liées en tant qu'auteur

Titre(s) : Contribution à la modélisation des transistors à effet de champ en arséniure de gallium pour les circuits intégrés monolithiques microondes [Texte imprimé] / Marc-Yves Lienhart

Publication : Paris : École nationale supérieure des télécommunications, 1988

Impression : Paris : Impr. ENST

Description matérielle : 230 p. ; 30 cm

Collection : ENST E, ISSN 0751-1353 ; 88008

Lien à la collection : ENST. E  Voir toutes les notices liées

Note(s) : Notes bibliogr.
Th. doct.-ing. : Paris, ENST : 1988

Sujet(s) : Circuits intégrés pour microondes  Voir les notices liées en tant que sujet
Semiconducteurs à l'arséniure de gallium -- Modèles mathématiques  Voir les notices liées en tant que sujet
Transistors à effet de champ -- Modèles mathématiques  Voir les notices liées en tant que sujet

Identifiants, prix et caractéristiques : (Br.) : 90 F

Identifiant de la notice  : ark:/12148/cb349588192

Notice n° :  FRBNF34958819