Type(s) de contenu et mode(s) de consultation : Texte noté : électronique

Titre(s) : Molecular beam epitaxy [Texte électronique] : applications to key materials / edited by Robin F.C. Farrow

Publication : Park Ridge, N.J. : Noyes Publications, cop. 1995

Description matérielle : 1 ressource dématérialisée

Collection : Materials science and process technology series

Note(s) : Includes bibliographical references and index

Autre(s) auteur(s) : Farrow, R. F. C.. Fonction indéterminée  Voir les notices liées en tant qu'auteur

Sujet(s) : Épitaxie par faisceaux moléculaires  Voir les notices liées en tant que sujet

Indice(s) Dewey :  621.381 52 (23e éd.) = Semi-conducteurs  Voir les notices liées en tant que sujet

Identifiants, prix et caractéristiques : ISBN 9780815513711

Identifiant de la notice  : ark:/12148/cb446514907

Notice n° :  FRBNF44651490 (notice reprise d'un réservoir extérieur)

Table des matières : The Technology and Design of Molecular Beam Epitaxy Systems ; Molecular Beam Epitaxy of High-Quality GaAs and AIGaAs ; Gas-Source Molecular Beam Epitaxy: Gaxln1-yAs1-yPy/lnP MBE with Nonelemental Sources. Heterostructure and Device Properties ; Molecular Beam Epitaxy of Wide Gap II-VI Semiconductor Heterostructures ; Elemental Semiconductor Heterostructures-Growth, Properties, and Applications ; MBE Growth of High T Superconductors ; MBE Growth of Artificially-Layered Magnetic Metal Structures ; Reflection High Energy Electron Diffraction Studies of the Dynamics of Molecu!ar Beam Epitaxy.