Type(s) de contenu et mode(s) de consultation : Texte noté : électronique

Titre(s) : III-nitride semiconductors [Texte électronique] : electrical, structural, and defects properties / editor, Omar Manasreh

Publication : Amsterdam ; New York : Elsevier, 2000

Description matérielle : 1 ressource dématérialisée

Note(s) : Includes bibliographical references and index

Autre(s) auteur(s) : Manasreh, Mahmoud Omar. Fonction indéterminée  Voir les notices liées en tant qu'auteur

Autre(s) forme(s) du titre : 
- Autre forme du titre : 3-nitride semiconductors
- Autre forme du titre : Three-nitride semiconductors

Sujet(s) : Nitrures  Voir les notices liées en tant que sujet
Conduction électrique  Voir les notices liées en tant que sujet
Semiconducteurs -- Matériaux  Voir les notices liées en tant que sujet

Indice(s) Dewey :  621.381 52 (23e éd.) = Semi-conducteurs  Voir les notices liées en tant que sujet

Identifiants, prix et caractéristiques : ISBN 9780444506306

Identifiant de la notice  : ark:/12148/cb44646227x

Notice n° :  FRBNF44646227 (notice reprise d'un réservoir extérieur)

Table des matières : Introduction to defects and structural properties of III-nitrides /M.O. Manasreh ; Dopants in GaN /John T. Torvik ; Defect engineering in III-nitrides epitaxial systems /S. Ruvimov ; Magnetic resonance studies of defects in GaN and related compounds /M. Palczewska and M. Kamińska ; Characterization of native point defects in GaN by positron annihilation spectroscopy /K. Saarinen ; Persistent photoconductivity in III-nitrides /H.X. Jiang and J.Y. Lin ; Ion implantation, isolation and thermal processing of GaN and related materials /Bernd Rauschenbach ; Radiation and processes induced defects in GaN /F.D. Auret and S.A. Goodman ; Residual stress in III-V nitrides /Nora V. Edwards ; Structural defects in nitride heteroepitaxy /M.E. Twigg [and others] ; Optical phonon confinement in nitride-based heterostructures /N.A. Zakhleniuk [and others]