Type(s) de contenu et mode(s) de consultation : Texte noté : microforme

Auteur(s) : Hassani, Nadjib (1960-....)  Voir les notices liées en tant qu'auteur

Titre(s) : Etude de la densité des états localisés dans le silicium amorphe hydrogène (intrinsèque ou dopé) à partir de la mesure d'admittance de diodes Schottry en régime quasi-stationnaire [Microforme] / Nadjib Hassani

Publication : Grenoble 2 : ANRT, 1988

Description matérielle : 1 microfiche ; 105 x 148 mm

Note(s) : Th. univ. : Sci. des matér. : Paris 6 : 1988

Identifiant de la notice  : ark:/12148/cb376143320

Notice n° :  FRBNF37614332