• Notice
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200 .| $7 ba0yba0y $8 fre $9 0 $a Hassani $b Nadjib $f 1960-....
300 0. $a Titulaire d'un doctorat d'université en sciences des matériaux (Paris 6, 1988)
801 .. $a FR $b FR-751131015 $c 19950607
810 .. $a Etude de la densité des états localisés dans le silicium amorphe hydrogène (intrinsèque ou dopé) à partir de la mesure d'admittance de diodes Schottry en régime quasi-stationnaire / Nadjib Hassani, 1988 [thèse univ.]

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