Notice bibliographique
- Notice
Type(s) de contenu et mode(s) de consultation : Texte noté. Image fixe : sans médiation
Auteur(s) : International symposium on the structure and properties of dislocations in semiconductors
(06 ; 1989 ; Oxford, GB)
Titre(s) : Structure and properties of dislocations in semiconductors 1989 [Texte imprimé] : proceedings of the sixth International symposium on the structure and properties of dislocations in semiconductors held at the University of Oxford, 5-8 April 1989 / ed. by S. G. Roberts, D. B. Holt and P. R. Wilshaw
Publication : Bristol [GB] ; New-York : Institute of physics, cop. 1989
Description matérielle : XVIII-470 p. : ill. ; 25 cm
Collection : Institute of physics conference series ; 104
Lien à la collection : Conference series - Institute of physics
Autre(s) auteur(s) : Wilshaw, P. R.. Éditeur scientifique
Holt, D. B.. Éditeur scientifique
Roberts, S. G.. Éditeur scientifique
Sujet(s) : Semiconducteurs
Dislocations dans les semiconducteurs
Genre ou forme : Actes de congrès
Indice(s) Dewey :
537.622 (23e éd.) = Semi-conductivité
Identifiants, prix et caractéristiques : ISBN 0-85498-060-1
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb37386802v
Notice n° :
FRBNF37386802