• Notice
Kaczer, Ben

Responsabilité(s) exercée(s) sur les documents :  Auteur


Source(s) : 
Reliability of high mobility SiGe channel MOSFETs for future CMOS applications [Texte électronique] / Jacopo Franco, Ben Kaczer, Guido Groeseneken.- Dordrecht : Springer, 2014



Identifiant de la notice  : ark:/12148/cb17235917h
Notice n° :  FRBNF17235917

Création :  18/02/07

Notices bibliographiques liées

Voir les notices liées en tant que : Voir toutes les notices liées (1)