Notice de personne
- Notice
Haddab, Karima (1961-....) forme internationale
Pays :
Algérie
Langue(s) :
français
Responsabilité(s) exercée(s) sur les documents :
Auteur
Naissance :
1961-10-16
Docteur en physique de l'état condensé (Paris 11, 1988).
Source(s) :
Propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné : courants limités par charge d'espace et photoconduction / Karima Haddab, 1988 [thèse]
Propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné : courants limités par charge d'espace et photoconduction / Karima Haddab, 1988 [thèse]
Identifiant international de l'autorité :
ISNI 0000 0003 7424 8060
, cf.
http://isni.org/isni/0000000374248060
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb124646182
Notice n° :
FRBNF12464618
Création :
95/05/22