- Notice
MOS (électronique)
Vedette matière nom commun. S'emploie en tête de vedette.
<Employé pour :
Dispositifs MOS
Métal-oxyde-semiconducteur, Transistors
MOS, Transistors
Semiconducteurs métal-oxyde
Structures MOS
Technologie MOS
Transistors à effet de champ à grille isolée
Transistors métal-oxyde-semiconducteur
Transistors MOS
Transistors unipolaires
Dispositifs MOS
Métal-oxyde-semiconducteur, Transistors
MOS, Transistors
Semiconducteurs métal-oxyde
Structures MOS
Technologie MOS
Transistors à effet de champ à grille isolée
Transistors métal-oxyde-semiconducteur
Transistors MOS
Transistors unipolaires
>>Terme(s) spécifique(s) :
Terminaisons à tranchée profonde
MIS (électronique)
MOS complémentaires
MOS verticaux
Transistors MOSFET
Terminaisons à tranchée profonde
MIS (électronique)
MOS complémentaires
MOS verticaux
Transistors MOSFET
Domaine(s) : 530
. - 600
Correspondance(s) :
- LCSH (Library of Congress Subject Headings) : Metal oxide semiconductors http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85084066
- LCSH (Library of Congress Subject Headings) : Metal oxide semiconductors http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh85084066
Correspondance(s) exacte(s) :
- RVMLaval (Répertoire Vedettes-Matière de l'Université Laval (Québec)) : MOS (électronique)
- RVMLaval (Répertoire Vedettes-Matière de l'Université Laval (Québec)) : MOS (électronique)
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb119667710
Notice n° :
FRBNF11966771
Création :
84/10/19
Mise à jour :
97/07/21
