Notice RAMEAU
- Notice
Transistors bipolaires à hétérojonctions
Vedette matière nom commun. S'emploie en tête de vedette.
<Employé pour :
HTB
SiGe HBT
SiGeC HBT
TBH
TBH SiGe
Transistors bipolaires à hétérojonction SiGe
Transistors bipolaires à hétérojonction SiGeC
Transistors SIGe
Transistors SIGeC
Transistors Silicium-Germanium
Transistors Silicium-Germanium Carbone
HTB
SiGe HBT
SiGeC HBT
TBH
TBH SiGe
Transistors bipolaires à hétérojonction SiGe
Transistors bipolaires à hétérojonction SiGeC
Transistors SIGe
Transistors SIGeC
Transistors Silicium-Germanium
Transistors Silicium-Germanium Carbone
Source(s) :
TermSciences : http://www.termsciences.fr (2011-10-27) . - Physique et technologie des semiconducteurs / F. Lévy, 1995 . - Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) / M. Bon, A. Scavennec [in] Techniques de l'ingénieur, 1999, E2450 . - Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe verticaux sur substrats SOI minces / G. Avenier, 2006 [thèse] . - Routledge French dict. of telecommunications : French-English / English-French, 1997 . - Silicon-germanium Heterojunction Bipolar Transistors / J. D. Cressler, G. Niu, 2002
TermSciences : http://www.termsciences.fr (2011-10-27) . - Physique et technologie des semiconducteurs / F. Lévy, 1995 . - Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V) / M. Bon, A. Scavennec [in] Techniques de l'ingénieur, 1999, E2450 . - Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe verticaux sur substrats SOI minces / G. Avenier, 2006 [thèse] . - Routledge French dict. of telecommunications : French-English / English-French, 1997 . - Silicon-germanium Heterojunction Bipolar Transistors / J. D. Cressler, G. Niu, 2002
Domaine(s) : 530
. - 600
Pas de correspondance :
- LCSH (Library of Congress Subject Headings)
- RVMLaval (Répertoire Vedettes-Matière de l'Université Laval (Québec))
- LCSH (Library of Congress Subject Headings)
- RVMLaval (Répertoire Vedettes-Matière de l'Université Laval (Québec))
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb165459669
Notice n° :
FRBNF16545966
Création :
11/10/25
Mise à jour :
17/02/01
