Notice bibliographique
- Notice
Type(s) de contenu et mode(s) de consultation : Texte noté : électronique
Titre(s) : Advances in crystal growth research [Texte électronique] / edited by K. Sato, Y. Furukawa, K. Nakajima
Édition : 1st ed.
Publication : Amsterdam ; New York : North-Holland, 2001
Description matérielle : 1 ressource dématérialisée
Autre(s) auteur(s) : Satō, Kiyotaka (1946-....). Fonction indéterminée
Furukawa, Yoshinori. Fonction indéterminée
Nakajima, Kazuo (19..-.... ; physicien). Fonction indéterminée
International Summer School on Crystal Growth (11 ; 2001 ; Doshisha Retreat Center). Fonction indéterminée
Sujet(s) : Croissance cristalline
Indice(s) Dewey :
548.5 (23e éd.) = Cristallisation
Identifiants, prix et caractéristiques : ISBN 9780444507471
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb446462733
Notice n° :
FRBNF44646273
(notice reprise d'un réservoir extérieur)
Table des matières : Ch. 1. Crystal growth ; Its significance for modern science and technology and its
possible future applications / I. Sunagawa ; Ch. 2. Fundamentals of phase field theory
/ R. F. Sekerka ; Ch. 3. Generic mechanism of heterogeneous nucleation and molecular
interfacial effect / Xiang-Yang Liu ; Ch. 4. Challenges in crystal growth science
and the microgravity tool / A. Chernov ; Ch. 5. Surface step dynamics: basic concepts,
theory and simulation / M. Uwaha ; Ch. 6. Surface step dynamics: experimental observations
/ J. Metois, J. C. Heyraud and J. M. Bermond ; Ch. 7. Elementary growth process in
semiconductor epitaxy ; Molecular beam epitaxy as an example of epitaxy / T. Nishinaga
; Ch. 8. Atomistic simulation of epitaxial growth processes / T. Ito ; Ch. 9. Si
bulk crystal growth: what and how? / K. Kakimoto ; Ch. 10. Optimization of melt growth
processes by experimental analysis and computer modeling / G. Muller and B. Fischer
; Ch. 11. Epitaxial lateral overgrowth of GaN /
