• Notice
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200 1. $a Point defects in semiconductors $b Texte imprimé $h Volume II $i Experimental aspects $f J. Bourgoin, M. Lannoo $g with a foreword by G. D. Watkins
210 .. $a Berlin $a Heidelberg $a New York $c Springer-Verlag $d cop. 1983
215 .. $a XVI-295 p. $c ill. $d 25 cm
225 19 $a Point defects in semiconductors $v 2
225 |. $a Springer series in solid-state sciences $v 35
300 .. $a Bibliogr. p. 271-279. Index
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461 .0 $0 37329476 $t Point defects in semiconductors $v 2
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930 .. $5 FR-751131009:37370663001001 $a 537.622 LANN p2 $b 759999999 $c Tolbiac - Rez de Jardin - Sciences et technique - Salle S - Libre accès $d N $v Volume 2

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Tolbiac - Rez-de-jardin - libre-accès - Sciences et techniques - Salle S - Physique 

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