- Notice
Transistors à effet de champ à dopage modulé
Vedette matière nom commun. S'emploie en tête de vedette.
<Employé pour :
HEMT
High Electron Mobility Transistor
MODFET
MOdulated-Doping Field Effect Transistor
Transistors à électron à haute mobilité
HEMT
High Electron Mobility Transistor
MODFET
MOdulated-Doping Field Effect Transistor
Transistors à électron à haute mobilité
Source(s) :
Traité des matériaux. v. 18, Physique et technologie des semiconducteurs / F. Lévy, 1995 . - Physique des dispositifs électroniques / M. Savelli, D. Gasquet, B. Orsal [in] Techniques de l'ingénieur, 1996, E1100
Traité des matériaux. v. 18, Physique et technologie des semiconducteurs / F. Lévy, 1995 . - Physique des dispositifs électroniques / M. Savelli, D. Gasquet, B. Orsal [in] Techniques de l'ingénieur, 1996, E1100
Domaine(s) : 600
Correspondance(s) :
- LCSH (Library of Congress Subject Headings) : Modulation-doped field-effect transistors http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh90002217
- LCSH (Library of Congress Subject Headings) : Modulation-doped field-effect transistors http://id.loc.gov/authorities/subjects/sh90002217
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb166125483
Notice n° :
FRBNF16612548
Création :
12/07/16
Mise à jour :
12/07/17
