Notice bibliographique
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Type(s) de contenu et mode(s) de consultation : Texte noté : sans médiation
Titre(s) : Electromigration in thin films and electronic devices [Texte imprimé] : materials and reliability / edited by Choong-Un Kim
Publication : Oxford (GB) : Woodhead publ., cop. 2011
Description matérielle : 1 vol. (XIII-340 p.) : ill. ; 24 cm
Collection : Woodhead publishing in materials
Lien à la collection : Woodhead publishing in materials
Comprend : Part I. Introduction. Modeling electromigration phenomena / F. Cacho and X. Federspiel
; Modeling electromigratoin using the peridynamics approach / D.T. Read and V.K. Tewary
and W.H. Gerstle ; Modeling, simulation and X-ray microbeam studies of electromigration
/ A.M. Maniatty, G.S. Cargill III, and H. Zhang ; Part II. Electromigration in copper
interconnects. X-ray microbeam analysis of electromigration in copper inteerconnects
/ H. Zhang and G.S. Cargill III ; Voiding in copper interconnects during electromigration
/ C.L. Gan and M.K. Lim ; The evolution of microstructure in copper interconnects
during electromigration / A.S> Budiman ; Scaling effects on electromigration reliability
of copper interconnects / L. Zhang, J.W. Pyun, and P.S. Ho ; Electromigration failure
in nanoscale copper interconnects / E.T. Ogawa ; Part III. Electromigration in solder.
Electromigration-induced microstructural evolution in lead-free and lead-tin solders
/ K.-L. Lin ; Electromigration in flip-chip solder joints / D. Yang and Y.C. Chan
and M. Pecht.
Note(s) : Notes bibliogr.
Autre(s) auteur(s) : Kim, Chong-Un. Éditeur scientifique
Sujet(s) : Circuits intégrés -- Détérioration
Électrodiffusion
Couches minces
Indice(s) Dewey :
621.381 52 (23e éd.) = Semi-conducteurs
Identifiants, prix et caractéristiques : ISBN 978-1-84569-937-6 (rel.). - ISBN 978-0-85709-375-2 (online)
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb43568892m
Notice n° :
FRBNF43568892
(notice reprise d'un réservoir extérieur)
