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Auteur(s) : International symposium on the structure and properties of dislocations in semiconductors (06 ; 1989 ; Oxford, GB)  Voir les notices liées en tant qu'auteur

Titre(s) : Structure and properties of dislocations in semiconductors 1989 [Texte imprimé] : proceedings of the sixth International symposium on the structure and properties of dislocations in semiconductors held at the University of Oxford, 5-8 April 1989 / ed. by S. G. Roberts, D. B. Holt and P. R. Wilshaw

Publication : Bristol [GB] ; New-York : Institute of physics, cop. 1989

Description matérielle : XVIII-470 p. : ill. ; 25 cm

Collection : Institute of physics conference series ; 104

Lien à la collection : Conference series - Institute of physics  Voir toutes les notices liées

Autre(s) auteur(s) : Wilshaw, P. R.. Éditeur scientifique  Voir les notices liées en tant qu'auteur
Holt, D. B.. Éditeur scientifique  Voir les notices liées en tant qu'auteur
Roberts, S. G.. Éditeur scientifique  Voir les notices liées en tant qu'auteur

Sujet(s) : Semiconducteurs  Voir les notices liées en tant que sujet
Dislocations dans les semiconducteurs  Voir les notices liées en tant que sujet

Genre ou forme : Actes de congrès  Voir les notices liées en tant que genre ou forme

Indice(s) Dewey :  537.622 (23e éd.) = Semi-conductivité  Voir les notices liées en tant que sujet

Identifiants, prix et caractéristiques : ISBN 0-85498-060-1

Identifiant de la notice  : ark:/12148/cb37386802v

Notice n° :  FRBNF37386802