Notice de personne
- Notice
Yuan, Jiann S. (1959-....) forme internationale
Pays :
États-Unis
Langue(s) :
anglais
Sexe :
Masculin
Responsabilité(s) exercée(s) sur les documents :
Auteur
Naissance :
1959-06-07
Spécialiste des semiconducteurs (diplômé, National ocean university, Taiwan, 1980
; University of Florida, 1984, 1988). - Maître de conférences et directeur : Microelectronics
CAD laboratory, University of Central Florida (en 1999).
Source(s) :
SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors / Jiann S. Yuan, 1999
LC Authorities : http://authorities.loc.gov (2022-03-08) . - Internet, http://www-ece.engr.ucf.edu, 1999-10-13
SiGe, GaAs, and InP heterojunction bipolar transistors / Jiann S. Yuan, 1999
LC Authorities : http://authorities.loc.gov (2022-03-08) . - Internet, http://www-ece.engr.ucf.edu, 1999-10-13
Consultée(s) en vain :
WW in sci. and engineering 1996-1997 . - BN Service chinois
WW in sci. and engineering 1996-1997 . - BN Service chinois
Identifiant international de l'autorité :
ISNI 0000 0001 1597 990X
, cf.
http://isni.org/isni/000000011597990X
Identifiant de la notice : ark:/12148/cb135047230
Notice n° :
FRBNF13504723
Création :
99/10/11
Mise à jour :
22/03/08
